TI公司的LM25149-Q1是42V汽车同步DC/DC控制器,距有超低IQ和集成了有源EMI滤波器.器件采用峰值电流模式控制架构以容易回路补偿,具有快速瞬态响应和极好负载和线路调整.LM25149-Q1可设定为具有精确电流共享的交错模式(并行输出),以用于大电流的应用.器件的工作电压低至3.5V,接近100%的占空比,如果需要时.LM25149-Q1有两个独特的EMI降低特性:有源EMI滤波器和双随机扩频(DRSS).有源EMI滤波器检测DC输入总线上的噪音或波纹电压,并抑制抵
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ST公司的MASTERGAN4是先进的系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)为 6.5 A而嵌入的高边栅极驱动器能和容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN4在低压和高压驱动部分有UVLO保护,以防止功率开关工作在低效力或危险状态,而它的互锁功能避免了交叉导通条件.输入引脚的扩展范围很容易和微控制器,DSP单元和霍尔传感器接口.器件
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电源管理，PMBus接口， Maxim， MAX16550SMBus
2021-05-12 16:08:24Maxim公司的MAX16550是具有SMBus/PMBus™控制和报告的12V总线保护集成电路,集成了MOSFET,无损耗电流检测和PMBus接口.器件为系统的12V电源提供了关于失真,控制,监视和保护的最佳解决方案.同时内部的LDO还提供了保护IC的电源.MAX16550的保护电流30A,30A的高密度尺寸为4mmx4.5mm,比通常解决方案板面积要小25%,具有电源,控制和监视单片集成.集成的功率MOSFET在12V电源通路中的RDS(ON)为1.9mΩ.器件具有可编程软起动和延迟,可编输入
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马达控制，逆变器，BLDC， Power， IntegrationsLNK3204D
2021-05-11 16:09:13Power Integrations公司的集成半桥BridgeSwitch™系列极大地简化高压逆变1相和3相PM或BLDC马达驱动的开发和生产.器件集成了两个高压(600V)N沟功率FREDFET,在单个小型封装内具有低边和高边驱动器.内部的功率FREDFET提供超软和超快二极管,非常适合硬开关逆变器驱动.两个驱动器采用自供电,从而不需要外接辅助电源.BridgeSwitch器件提供独特的瞬态相电流输出信号,简化了无传感器控制方案的实施.小型紧凑的占位面积安装扩展了爬电距
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电源管理，PMIC，i.MX 8M应用处理器， NXP， PCA9450
2021-05-10 15:47:51NXP公司的PCA9450是 i.MX 8M应用处理器电源管理IC(PMIC),通过系统UBOOT配置支持各种存储器(DDR4/LPDDR4/DDR3L等)而不需要改变硬件.器件提供六个高效降压稳压器,5个LDO,一个400mA负载开关,2路电平转移器和32.768 kHz晶振驱动器.三个降压稳压器支持动态电压扫描(DVS)和可编上升和下降时间,支持遥控检测,以补偿降压稳压器对负载的IR降低.器件工作温度为-40 C 到 105 C.PCA9450AA具有三个3A降压稳压器, PCA9450B具有两个3A降压稳压器,而
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Infineon公司的TLD5542-1是同步MOSFET H桥DC/DC控制器,内置了保护特性和SPI接口,能以最大的系统效率和最少的外接元件驱动大功率LED. TLD5542-1提供模拟和数字(PWM)调光,开关频率在200kHz和700kHz间可调.器件可与外接时钟源同步.内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式改善了整个EMC性能. 电流模式稳流方案提供了由少数补偿元件所维持的稳定调整回路,而可调软起动特性限制了在起动时所产生的电流峰值和电压过冲值.宽LED正
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电源管理，DC／DC转换器，LED驱动器， Infineon ，ILD8150
2021-04-29 15:40:57Infineon公司的ILD8150是80V DC/DC降压转换器,用于驱动大功率LED.对于接近SELV极限的应用,ILD8150提供了高安全电压富余度.降压LED驱动器特别设计用于通用照明应用的LED,采用高边集成开关其平均电流可高达1.5A.器件集成了80V低RON的高边MOSFET,混合调光率0.5%目标电流.工作电压宽,为8V到80V,逐个周期的电流限制.器件具有欠压锁住,热保护等特性.器件可以无闪烁工作,数字软起动,集成下拉晶体管以避免LED发出暗淡的光.主要用在电子控制
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汽车电子，车载充电器， On Semi ， NVHL060N090SC1900V
2021-04-20 16:07:00On Semi公司的NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.On Semi公司的6.6 kW车载充电器(OBC)SEC-6D6KW-OBC-TTP-GEVB参考设计采用NVHL060N090SC1器件,单片高边和低边栅极驱动器FAN7191 F085,650V N沟功率
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电源管理，SiC MOSFET栅极驱动器，AC／DC转换器，DC／DC转换器， ST ，STGAP2SICS
2021-04-19 16:20:26ST公司的STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.两种配置提供了高度灵活性,降低外接元件的材料清单(BOM).器件的高压轨高达1200V,@25C的驱动电流能力为4A沉/源.整个输入-输出延时为75ns.单独的沉和源选择使得容易配置栅
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电源管理，栅极驱动器，IGBT， SiC MOSFET， TI，UCC23511－Q1
2021-04-12 16:28:54TI公司的UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.工作结温为
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