锂电池的应用普及催生出了众多便携式的数码产品，如户外电源、电动工具、筋膜枪、充气泵、大功率充电宝等。这类产品都内置了多节多串锂电池组成的高容量、大功率电池包，支撑这些产品市场应用都离不开升降压充电管理芯片。
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电源管理 栅极驱动器 Power Integrations2SP0215F2Q0C
Power Integrations公司的 2SP0215F2Q0C是用于EconoDUAL 17mm模块驱动高达1200V的IGBT开关的双路栅极驱动器.即插即用栅极驱动器板设计用于需要汽车认证的应用如电动公交车, 电动卡车,纯电动汽车,混合电动汽车,或工作在1000V纯电动汽车电池电压的燃料电池逆变器.栅极驱动器提供汽车有关的保护功能和诊断.电流隔离IGBT模块集成了NTC读出,提供了IGBT模块温度信息.作为即插即用栅极驱动器, 2SP0215F2Q0C特性匹配了特别功率模块的要求.
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电源管理 IEEE 802．3af IEEE 802．3atDC／DC转换器 Microchip PD70201
Microchip公司的PD70201和PD70101是集成了供电设备(PD)接口和PWM控制器,用于IEEE® 802.3af 和IEEE® 802.3at应用的DC/DC转换器. PD70101用于IEEE 802.3af or IEEE 802.3at Type 1的应用,而PD70201则用于IEEE 802.3at Type 2的应用.单个PD70201器件能用在4对线应用,功耗高达47.7W.这两种器件具有PD检测和可编程的分类特性,集成了0.6 Ω隔离开关和浪涌电流限制器.
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Maxim公司的MAX16731是全集成高效率降压DC/DC开关稳压器,工作输入电源从2.7V到16V,输出可在0.5V到5.8V调整,提供高达30A的负载电流.器件的开关频率可从500kHz 到 1.5MHz配置,可在尺寸和性能上优化设计. MAX16731采用固定频率,带内部补偿的电流模式控制.IC具有先进的调制方案(AMS)和可以选择不连续电流模式(DCM)工作,以改善性能.工作设定和配置特性由三个编程引脚PGM0,PGM1和PGM2来选择.
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Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管,它比硅器件具有基本优势,特别是更高的临界电场非常适合功率半导体器件,具有杰出动态开关电阻和更小电容,使得GaN HEMT更适合高速开关应用.GaN功率晶体管最重要的特性是反向恢复性能. Infineon公司的CoolGaN™晶体管没有少数载流子,没有体二极管,不会体现反向恢复.因此,应开关拓扑如图腾柱PFC能用来获得更高效率,例如用在数据中心和服务器电源,以
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ADI公司的ADPA1106是氮化镓(GaN)宽带功率放大器,提供46dBm(40W)功率,典型功率附加效率(PAE),带宽2.7GHz到3.1GHz. 频率2.7 GHz 到 3.1 GHz和PIN=21dBm输出功率POUT=46dBm,功率增益为25dB,小信号增益为34.5dB. 2.7GHz到3.1GHz和PIN = 21 dBm时的PAE为56%.电源电压VDD=50V, IDQ = 300 mA占空比10%.采用32引脚5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装.主要用在气象雷达,船用雷达和军用雷达.本文介绍了ADPA1106主要特性和电性能指标,基本框图以及46
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电源管理 USB PD 3．1充电器 Power Integrations INN4077C－H185
Power Integrations公司的INN4077C-H185是InnoSwitch™4-CZ系列中一员,具有ClampZero系列有源箝位集成电路,大大改善了反激功率转换器的效率,特别是那些紧凑外形系数的转换器. InnoSwitch4-CZ系列在单片IC中包含初级和次级控制器以及安全级反馈. InnoSwitch4-CZ和ClampZero的组合大大地降低消系统和初级开关损耗,允许极大提高功率密度. InnoSwitch4-CZ还包含多种保护特性如输出过压和过流限制,以及超温关断.
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TI公司的TPS65219 是设计用于给手持和固定设施应用的各种SoC供电的功率管理集成电路(PMIC),工作环节温度–40°C到 +105°C,非常适合各种工业应用.器件包括三个同步降压DC/DC转换器和四个线性稳压器.DC/DC转换器具有1x 3.5 A 和2x 2 A,需要小型470 nH 电感, 4.7 μF输入电容,以及每个轨根据配置最低限度30 μF输出电容.两个LDO支持输出电流400mA,输出电压范围从0.6V到3.4V.
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电源管理 SiC MOSFET汽车电子 Rohm SCT4026DRHR
Rohm公司的SCT4026DRHR是汽车级N沟SiC功率MOSFET,具有沟槽结构,750V和56A 4引脚THD通孔封装.满足资质AEC-Q101.器件能处理高压和大电流,满足各种条件下优化EMC噪音和电源效率.器件具有低开态电阻,快速开关速度和快速反向恢复.容易并联工作,驱动简单,无铅和RoHS兼容封装.主要用在汽车和开关电源.
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Onsemi公司的NCP5156是隔离两路栅极驱动器,分别具有4.5A/9A源和沉峰值电流,设计用于快速开关以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关. NCP51563提供短的和相匹配传输延迟.两个单独的和从输入到每个输出的5 kVRMS内部电隔离以及两个输出驱动器间内部功能隔离允许工作电压高达1850VDC.这种驱动器能用在可配置的两种低边,两种高边开关或具有可编程死区时间的半桥驱动器.当分别设定低或高ENABLE或DISABLE模式时,ENA/DIS引脚能同时关断两
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Arm Cortex－M0 MCU电源管理无线充电器 USB Type－C Infineon WLC1115
Infineon公司的WLC1115 是集成了USB Type-C PD 控制器的15W无线充电发送器(WLC).器件和15W应用的最新Qi指标兼容,也和最新的SB Type-C 和PD指标兼容,非常适合高达15W的充电应用.WLC1115集成了用于降压和逆变器电源的栅极驱动器,支持宽输入电压4.5V-24V,提供许多可编程的特性,用来创建有特色的无线发送器解决方案.
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ADI公司的LTC2980-24是 24通道电源系统管理器, 用于排序,调整(伺服),裕度,监督,管理故障,提供遥测和创建故障日志. PMBus 命令支持电源时序监控,精密负载点电压调节和裕量设置.DAC 使用专有的软件连接算法最大程度地减小电源干扰. 电源监控器功能包括 24 个电源输出通道和3个电源输入通道的过压和欠压阈值限制,以及过温和欠温限制. 可编程故障响应可以在检测到故障后禁用电源(提供可选的重试).
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Maxim公司的MAX31331是超低功耗I2C实时时钟(RTC)时间保持器件,正常消耗65nA时间保持电流.支持各种范围32.768kHz晶体.可以使用有任何电容负载(CL)的晶体,加宽了器件可用晶体的品种.器件通过I2C串行接口进行访问.器件还具有备份电源引脚(VBAT),当主电源(VCC)下降到可编阈值电压以下时,能自动切换到备份电源(VBAT).其它特性还包括两个当日时间告警,中断输出,可编方波输出,具有时间戳的事件检测输入,以及其串行总线暂停机制.
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马达驱动 BLDC驱动器 磁场导向控制(FOC) TI MCF8316A
TI公司的MCF8316A是单片全区码的无传感器磁场导向控制(FOC)解决方案,用于定制的驱动速度控制12V到24V无刷DC马达(BLDC)或永磁同步马达)PMSM),峰值电流高达8A..器件集成了三个最大电压40V和非常低RDS(ON) 95 mΩ(高边+低边)的1/2 H桥.可调整降压稳压器和LDO的功率管理特性产生3.3V或5.0V电压轨,用来给设备和外接电路供电.
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汽车电子 SiC MOSFET AEC－Q101 Rohm SCT4036KRHR
Rohm公司的SCT4036KRHR是1200V, 43A 4引脚THD汽车级的沟槽结构碳化硅(SiC) 功率MOSFET,满足资质AEC-Q101.器件能处理高压和大电流,满足各种条件下优化EMC噪音和电源效率.器件具有低开态电阻,具有快速开关速度和快速反向恢复.容易并联工作,驱动简单,无铅和RoHS兼容封装.
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电源管理 功率因数控制器(PFC) Onsemi NCP1623
Onsemi公司的NCP1623是用来驱动PFC升压级的控制器, 基于创新的 Valley 同步频率折返(VSFF)方法,工作在临界导通模式(CrM)直至功率下降到阈值电平以下. 当负载进一步衰减(频率折返),PFC控制器进入具有增强死区时间的不连续导通模式(DCM).VSFF在正常和轻负载两方面VSFF最大化效率.此外,当开关频率降低成本时内部电路保证接近1的功率因素.器件采用TSOP-6封装,电路具有强健和紧凑PFC级所需要的特性,很少的外接元件.
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电源管理AC／DC转换器 Power Integrations InnoSwitchTM3－TN
Power Integrations公司的InnoSwitchTM3-TN系列极大地增加了电器,消费类产品和工业应用的辅助电源的效率.器件非常适合隔离和非隔离的设计,这种先进的反激控制器能达到高达90%的满负载效率,在负载范围内有平坦的效率和非常低的无负载损耗. InnoSwitch3-TN可以用作精确的5V单输出电源,具有两个正轨或正与负的轨.器件集成了725V初级MOSFET,初级和次级反激控制器,采用专用的FluxLink通信通路.
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