诸如手机之类的消费类设备正在使用越来越多的传感器来节省电量并增强我们与之的互动。一些最新的设备具有十多个传感器。对于手机制造商来说，问这些传感器中的任何一个是否可以共同封装以节省功率，空间和成本是一个很自然的问题。将接近传感器与环境光传感器共同包装有许多充分的理由。在阐明了他们的角色，他们的操作和一些简单的区别之后，将讨论这些原因。
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容易看出改进型的电路拓扑与基本型电路的主要差别在于副边整流电路，该整流电路被称为倍流整流器（Current-Doubler Rectifier，CDR），是目前应用的热点之一。下面首先介绍一下该整流电路。与全波整流相比，倍流整流器的高频变压器副边绕组仅需一个单一绕组，不用中心抽头。
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目前市面上出现了一个新的芯片组，它由具有耐用的750V氮化镓（GaN）初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成，能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power IntegraTIons，包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关（ZVS）反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入
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在电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示，通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断，达到相应的功能。另外，在一些过压，过流和过载工况下，功率MOS很容易损坏，从而造成整个驱动板的失效，甚至存在起火的风险。本文提出两个冗余驱动线路，可以有效避免MOS单点失效的负面影响。
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之前文章说过我回国了，结果还在酒店隔离的时候，就收到了赛灵思寄来的一个小玩具。开箱视频已经发到B站了，看过的朋友应该知道，这里面其实是赛灵思的Kria KV260 Vision AI入门套件，从名字也可以看出来，这个东西是专门为视觉应用而设计的开发套件。今天这篇文章，一来是简单介绍一下这个产品，更重要的，其实是聊聊我对这个小玩具的一些想法。一句话总结，我从来也没玩过这样不用写RTL就能开发的FPGA板卡。
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在移动设备充电功率不断提高的今天，高功率充电器的小型化，便携化将会成为今后的重要发展方向。在以往的认知里，功率往往和充电器的体积有着密不可分的关系，一般来说输出功率越大，体积往往也就越大。但随着氮化镓功率器件的使用，使得兼具高功率与小巧外观的充电器成为了可能。由大联大友尚基于onsemi NCP1345和GaN System产品推出的65W PD电源方案，满足市场对于PD快充电源的需求。
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