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Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT43202013-06-13

Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。

飞兆半导体的100V BOOSTPAK解决方案提高了可靠性，降低了LED应用中的系统成本2013-06-05

飞兆半导体通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

Aptina宣布推出新款14 Megapixel (MP)数码相机CMOS图像传感器AR1411HS2013-05-22

Aptina宣布推出新款14 Megapixel (MP)数码相机CMOS图像传感器AR1411HS，在越来越受欢迎的1英寸格式中提供独特的成像解决方案。

英飞凌推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C72013-05-20

英飞凌进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。

瑞萨电子开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件2013-05-17

瑞萨电子株式会社今天宣布开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件， 适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。

Avago推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W3462013-05-14

Avago今天宣布推出二组新高速门驱动光电耦合器产品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，这些器件在设计上为用来保护和驱动功率MOSFET或碳化硅(SiC, Silicon Carbide) MOSFET的1A和2.5A门驱动光电耦合器，适合如变频器、电机控制和开关电源(SPS)等高频率应用。

Vishay 推出能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M2013-04-08

Vishay 推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047µF到10µF，可在+105℃高温下工作，有700VDC～2500VDC和420VAC～800VAC共7个电压等级。

Microsemi为NPT IGBT产品系列增添多款新器件2013-04-03

Microsemi宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A额定电流型款。

ST宣布其先进的超结功率MOSFET晶体管系列新增快速开关产品2013-04-02

ST宣布其先进的超结功率MOSFET晶体管系列新增快速开关产品，用于高能效消费电子产品、计算机和电信系统、照明控制器和太阳能设备。

TI推出三款支持高效率及高功率密度的宽泛输入电压同步升压控制器2013-03-28

TI宣布推出三款支持高效率及高功率密度的宽泛输入电压同步升压控制器。LM5122Q 多相位升压控制器可提供业界最宽的输入输出电压范围，而低静态电流 TPS43060 与 TPS43061 升压控制器则支持 1 MHz 工作频率，采用小型 QFN 封装。