包装 : 带卷（TR）

系列 : OptiMOS™

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 180A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 0.95 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.2V @ 200µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 300nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 23000pF @ 25V

功率-最大值 : 250W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商器件封装 : PG-TO263-7-3