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SOT502 ISM频段小型射频功放晶体管可为射频能量应用提供600W功率 2018-02-09
安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。
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Littelfuse新推瞬态抑制二极管阵列,可保护敏感的电信端口免因静电放电和雷击感应浪涌而受损 2018-02-07
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管阵列系列,该系列产品经过优化,可保护敏感的电信端口免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。 SP4208系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)集成了低电容控向二极管和一个(单向保护)或两个(双向保护)雪崩击穿二极管。该系列产品可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV ESD,而不会出现性能减退。其具有低负载电容(3.0pF)和高
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功率因数校正宽工作电压范围的可控硅整流器模块 2017-12-27
TDK 集团最近推出了新型爱普科斯 (EPCOS) TSM-LC-NC690 可控硅整流器模块。新的模块 工作电压范围进一步扩展,可用于电压可高达 690 V AC 的功率因数校正 (PFC)。该模块可执 行电容器的 2 相切换功能,因此无需中性导体。此外,该新型模块专为无功功率为 40 kvar 至75 kvar(取决于工作电压)的应用而设计,其切换电流可高达 60 A。
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业界首款零漂移、毫微功率放大器,兼具超低功耗和超高精度 2017-12-07
德州仪器(TI)近日推出了首款兼具超高精度和领先业内的超低电源电流运算放大器。LPV821零漂移、毫微功率运算放大器具有出色的功率 - 精度性能,可帮助工程师获得极高的直流精度,且功耗比同类零漂移器件低60%。 LPV821设计用于高精密应用,如无线传感节点、家庭和工厂自动化设备以及便携式电子设备。
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具反向保护的有源整流器控制器 2017-12-04
亚德诺半导体(Analog Devices, Inc.,简称ADI) 公司宣布推出 Power by Linear™的有源整流器控制器LT8672,该器件具有至–40V的反向输入保护。
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Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列的尺寸仅为典型四线路阵列的1/3 2017-11-23
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出了新的小尺寸瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)系列产品,专为保护高速信号引脚而设计。 SP3422-04UTG系列0.2pF 22kV瞬态抑制二极管阵列将四通道超低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,适用于保护易遭受静电放电(ESD)破坏的电子设备。这款性能出众的组件可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD冲击,且性能不会下降。
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Littelfuse符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极管可针对高达550V的瞬变电压提供单组件防护解决方案 2017-11-15
Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今日宣布推出了符合AEC-Q101标准的高压瞬态抑制二极管,该产品专为保护敏感汽车电路免受浪涌和静电放电损坏。由于兼具高达600瓦的峰值脉冲功耗和快速响应能力,TPSMB系列汽车用瞬态抑制二极管可为电路设计师提供高压单组件电路保护解决方案。由于无需串联多个瞬态抑制二极管以提供适当保护,TPSMB系列简化了印刷电路板的设计,并能显著提高可靠性。单向和双向型号的断态电压从
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Vishay新款FRED Pt Ultrafast整流器不仅可节省空间,更可提高功率密度并改善热性能 2017-11-13
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出13款200V到600VFRED Pt®超快恢复整流器。均采用eSMP系列SlimDPAK(TO-252AE)封装。每种产品都有汽车级和商用/工业级版本。Vishay Semiconductors整流器比传统DPAK(TO-252AA)封装的器件高度更薄,热性能更好,具有更高功率密度和更高效率,可用于汽车和通信应用。
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