•                 产品展示

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• ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”  2021-07-08
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。

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• 可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器  2021-07-01
  埃赋隆半导体（Ampleon）基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。

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• EPC推出新款80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管  2021-06-22
  宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

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• 意法半导体发布高性能车规级GaN产品系列  2021-05-14
  服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)发布了STi2GaN系列智能集成氮化镓(GaN)解决方案。

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• Nexperia推出全新Trench肖特基整流器旨在为快速开关应用提高效率  2021-05-10
  新器件已通过AEC-Q101认证，支持高达100 V的电压和20 A的电流，开关损耗低且安全工作区域增大

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• Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行  2021-04-27
  基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。

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• ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的 600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”  2021-04-20
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1（Intelligent Power Module）“BM6437x系列”，该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备（如工业用机器人用的小容量电机等）中，且非常适用于各种变频器的功率转换。

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• ST推出新款MasterGaN4器件，实现高达200瓦的高能效功率变换  2021-04-16
  意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

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• ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术  2021-04-09
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。

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• Vishay的新款第五代FRED Pt 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能  2021-04-01
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。

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