•                 产品展示

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• Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源  2015-03-27
  Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来，有效在高达60V的输入情况下提供5V15mA的输出。

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• 707B－708B开关矩阵  2015-03-19
  707B－708B开关矩阵

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• 安森美半导体和Transphorm推出600 V GaN 晶体管用于紧凑型电源及适配器  2015-03-18
  2015年3月17日-推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)，和功率转换器专家Transphorm，先前宣布双方建立了合作关系，把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场，今天美国时间宣布推出联名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 V GaN共源共栅(cascade)晶体管和使用这些器件的240 W参考设计。

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• 英飞凌发布面向电动汽车和混合动力汽车高速开关应用的最高效650V IGBT系列  2015-03-02
  英飞凌科技股份公司发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准，可降低诸如车载充电、功率因数校正（PFC）、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）应用的功率损耗并提高其可靠性。

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• Diodes推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管  2015-02-25
  Diodes为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装。

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• ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管  2015-02-10
  ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。

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• Vishay推出三款通过AEC-Q101认证，电压100V至600V的新款标准整流器  2015-02-10
  Vishay推出三款通过AEC-Q101认证，电压100V至600V的新款标准整流器---SE10DxHM3/1、SE12DxHM3/1和SE20DxHM3/1。这三款整流器具有ESD功能，电流等级从10A到20A。

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• Littelfuse推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列  2015-02-10
  Littelfuse推出SP1255P系列低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列（SPA），其旨在为电流密集型应用提供一流的ESD保护，例如快速充电外围设备或电源USB。

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• 东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品  2015-02-09
  东芝已推出了一款1200V碳化硅肖特基二极管（SBD）产品：TRS20J120C，它主要适用于400V的高压工业应用系统。通过采用宽带隙半导体SiC材料，我们成功将SBD耐受电压提高到1200V，而如果使用硅材料，最高耐受电压只有200V

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• 英飞凌科技推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT  2015-02-09
  英飞凌科技推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。

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