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  • 东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列
  • 东芝推出40V电压功率MOSFET“U-MOSIX-H”系列  2014-12-02
    东京—东芝公司旗下的半导体存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列,新系列减少了76%的导通电阻,实现业界顶级的低导通电阻
  • IR推出1200V Gen8 IGBT系列
  • IR推出1200V Gen8 IGBT系列  2014-11-18
    IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
  • IR推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件
  • IR推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件  2014-10-22
    IR推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。
  • IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列
  • IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列  2014-08-19
    IR推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5µs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正温度系数。
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