•                 产品展示

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• Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO－219AB）封装的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt 超快恢复整流器  2024-11-27
  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款采用eSMP® 系列SMF（DO-219AB）封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。

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• 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件  2024-11-21
  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。

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• Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计  2024-11-15
  为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。

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• 采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管  2024-11-13
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器（OBC）等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。

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• ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT  2024-11-08
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。

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• 英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单  2024-10-24
  英飞凌科技股份公司推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10 A至80 A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。

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• Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列  2024-10-23
  Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。

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• Vishay面向车载以太网推出超小型高可靠性ESD保护二极管  2024-10-17
  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN1006-2B小型封装全新车规级双向单路ESD保护二极管---VETH100A1DD1。该器件节省空间，专门用于车载以太网，符合OPEN Alliance 100Base-T1和1000Base-T1规范，钳位电压、动态电阻和电容低，可保护高速数据线免受瞬态电压信号的影响。

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• Littelfuse推出首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列  2024-10-17
  Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。

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• 东芝推出400 V耐压小型开关二极管HN1D05FE  2024-10-14
  电子技术的飞速进步伴随着集成电路和微型化技术的日新月异，小型开关二极管作为电子元件中的关键一环，尤其在高压、恶劣环境下，其性能的稳定性和可靠性对于保障设备正常运行至关重要，因此正逐渐展现出其独特的市场魅力和广阔的应用前景。

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