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Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管 2024-07-25
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外(IR)发光二极管--- TSHF5211,扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K,辐照强度和升降时间优于前代器件。
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SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块 2024-07-04
近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性 2024-07-01
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
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Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求 2024-06-13
Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装,适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外,为了进一步扩展其SiC二极管产品组合,Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件,以提高设计灵活性。
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安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块,助力可再生能源应用简化设计并降低成本 2024-06-12
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON), 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术,带来业界领先的能效表现,有助于降低系统成本并简化设计。
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宏微科技推出分别针对汽车800V平台和增程式混动的两款IGBT模块 2024-04-22
宏微科技本次推出适合汽车800V平台电驱控制器的产品 MMG600V120X6RS,以及针对1.5L增程器70KW GCU的产品 MMG280VD075X6T7,采用宏微GV与GVD封装,均拥有更低的通态损耗,在客户应用工况下有着极高的效率。
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Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 2024-03-25
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器,在同级产品中实现了业界极高的电流密度,以低正向压降和热阻的特性,为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。
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