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  • Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管
  • Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管  2024-07-25
    日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外(IR)发光二极管--- TSHF5211,扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K,辐照强度和升降时间优于前代器件。
  • 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
  • 英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管  2024-07-11
    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更具成本效益的解决方案。
  • SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
  • SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块  2024-07-04
    近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
  • Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
  • Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性  2024-07-01
    日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
  • Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求
  • Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求  2024-06-13
    Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装,适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外,为了进一步扩展其SiC二极管产品组合,Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件,以提高设计灵活性。
  • 安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块,助力可再生能源应用简化设计并降低成本
  • 安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块,助力可再生能源应用简化设计并降低成本  2024-06-12
    智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON), 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术,带来业界领先的能效表现,有助于降低系统成本并简化设计。
  • Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器
  • Diodes推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器  2024-03-25
    Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器,在同级产品中实现了业界极高的电流密度,以低正向压降和热阻的特性,为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。
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