包装 : 管件
系列 : C3M™
FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 900V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 36A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 78 毫欧 @ 20A，15V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 5mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 30.4nC @ 15V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 660pF @ 600V
功率-最大值 : 125W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商器件封装 : TO-247-3
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
