包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss） : 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 150mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3.7 欧姆 @ 80mA，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 1.58nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 7pF @ 10V
功率-最大值 : 150mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-75，SOT-416
供应商器件封装 : SMCP
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