包装 : 管件
系列 : Z-FET™
FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 1200V（1.2kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 10A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 370 毫欧 @ 6A，20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.8V @ 1.25mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 20.4nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 259pF @ 1000V
功率-最大值 : 62.5W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商器件封装 : TO-247-3
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