包装 : 管件
系列 : UniFET-II™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 5.5A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.25 欧姆 @ 2.75A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 730pF @ 25V
功率-最大值 : 90W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装 : TO-251
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
