包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 300mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.2 欧姆 @ 100mA，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 39pF @ 3V
功率-最大值 : 350mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 3-XFDFN
供应商器件封装 : 3-DFN1006H4（1.0x0.6）
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