包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : QFET®
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 19A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 170 毫欧 @ 9.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 53nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1080pF @ 25V
功率-最大值 : 3.13W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 : TO-263-2
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
