包装 : 带盒（TB） 可替代的包装
系列 : SuperMESH™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 800V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 300mA（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 16 欧姆 @ 500mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 7.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 160pF @ 25V
功率-最大值 : 3W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装 : TO-92-3
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