包装 : 管件
系列 : HiPerFET™，PolarP2™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 1000V（1kV）
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 4A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3.3 欧姆 @ 2A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 26nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1456pF @ 25V
功率-最大值 : 150W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装 : TO-263（IXFA）
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