包装 : 散装 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 耗尽模式
漏源极电压（Vdss） : 400V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 120mA（Tj）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 25 欧姆 @ 120mA，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 300pF @ 25V
功率-最大值 : 1W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装 : TO-92（TO-226）
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