包装 : 带卷（TR）
系列 : TrenchMOS™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : -
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10.5 毫欧 @ 12A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 17.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1335pF @ 16V
功率-最大值 : 2.5W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装 : 8-SO
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