包装 : 管件 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 3 N 沟道，共栅

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 80mA

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 190 欧姆 @ 10mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : -

功率-最大值 : 1.3W

安装类型 : *

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SOIC