包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 33V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 6.5A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 20 毫欧 @ 3.3A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 480µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 3.8nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 360pF @ 10V

功率-最大值 : 1W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 : W迷你型8-F1