三大运营商最新发布的数据显示,截至 7 月底,3G 用户总保有量已突破8600 万户,新增 3G 用户占总体新增用户的比重均在 50% 以上,3G 用户成为新增移动用户的主流。面对庞大的 3G 用户群,手机上下游企业都加大 3G 智能手机投入力度,不仅在用户体验上下足了功夫,而且大幅降低生产成本,纷纷推出千元 3G 智能手机,以期推动 3G 智能手机的普及。
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日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出4款可使用2.7V~16V单电源或±2.7V~±8V双电源工作的新器件,充实其DG92xx系列CMOS模拟开关和多路复用器。新器件具有工作电压范围宽、小封装尺寸和兼容低电压逻辑的特点,可用于高速、高精度开关应用。
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Arcolectric,Elektron Technology,抗菌开关系列,
2011-10-17 15:37:48Elektron Technology有限公司旗下的品牌Arcolectric日前宣布:推出一系列独特的、全新的抗菌开关,它是公司与BioCote有限公司排他性伙伴关系的一部分,BioCote公司是一家经过验证的抗菌技术的领先供应商。
>>详情横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与美国麻省理工大学微系统技术实验室﹙MTL﹚携手展示双方在低功耗先进微处理器技术领域的合作研发成果。
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源科公布将于2011年10月底推出MCP新品rSSDTM的消息后,受到业内普遍关注。目前,该产品已完成样品打样,其灵妙的外观设计、宽应用领域、环境友好性、强大的功能等特点相信一定能够带给用户非凡的应用体验。源科rSSD™是源科运用其先进的SSD系统集成技术,凭借在该领域丰富的经验设计开发的MCP系列产品。该产品具有高性能,是完全集成的嵌入式SSD。
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Maxim Integrated Products, Inc 推出离线式LED驱动器MAX16841,采用前沿(三端双向可控硅)和后沿(晶体管)调光器实现从最大光强到零光强的无闪烁调光。固定频率控制优化了工作在低压和高压交流电网的效率。
>>详情2011年10月5日──QuickLogic公司近日宣布推出一个新的用于PolarPro ®平台系列应用的解决方案,该解决方案让PolarPro ®平台把应用处理器上的SDIO端口连接到高通公司的调制解调器芯片组的EBI2接口上。这种新的应用解决方案为移动和手持设备设计师提供了一个低成本、低功耗、易于使用的方案,以取代USB端口这类通用接口。
>>详情机顶盒SoC领导厂商扬智科技,今(3)日发表网络流媒体处理器单芯片M3911,正式宣告将进军IPTV、OTT (Over-The-Top) 等提供网络上丰富影音内容的终端产品市场。除了支持Full HD以及业界主流规格与传输协议外, M3911也是市场上第一颗支持快速待机与恢复功能的网络流媒体处理器单芯片,为全球客户提供兼备高效能、环保、且经济实惠的产品选择。
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日前,德州仪器 (TI) 宣布面向非隔离式负载点设计推出 2 款具有 PMBus 数字接口与自适应电压缩放功能的 20 V 降压稳压器。加上 NS系统电源保护及管理产品,TI 为设计工程师提供完整的单、双及多轨多相位 PMBus 解决方案,帮助电信与服务器设计人员对其电源系统健康状况进行智能监控、保护和管理。
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Vishay,低电压模拟开关,DG721/2/3,DG2537/8/9,
2011-10-13 10:47:58Vishay推出6款新型采用节省空间的TDFN和MSOP表面贴装封装的低电压、高精度双路单刀单掷(SPST)模拟开关--- DG721/2/3和DG2537/8/9。这些器件具有低功率损耗和低开关噪声的性能,有利于改善信号完整性和提高系统精度。
>>详情泰克,MIPI Alliance M-PHY测试,M-PHY v1.0规范,
2011-10-13 10:42:03全球示波器市场的领导厂商—泰克公司日前宣布,推出用于新出台M-PHY v1.0规范的MIPI Alliance M-PHY测试的业内最经济有效,也是唯一经过客户验证的解决方案。在去年九月推出的业内首个M-PHY测试解决方案的基础上,泰克公司现在又向移动设备硬件工程师提供了一种用于M-PHY发射机和接收机调试、验证和一致性测试的简单、集成的解决方案。
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横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)扩大高能效移动设备解决方案阵容,推出新款白光LED驱动器芯片。新产品能够简化高能效液晶显示屏和键盘的背光电路设计。
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。
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