包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : N 沟道

电压-击穿（V（BR）GSS） : -

漏源极电压（Vdss） : 30V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss） : 1.2mA @ 10V

漏极电流（Id）-最大值 : 10mA

不同Id时的电压-截止（VGS关） : 180mV @ 1µA

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 4pF @ 10V

电阻-RDS（开） : 200 欧姆

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 : 3-CP

功率-最大值 : 200mW