包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : N 沟道

电压-击穿（V（BR）GSS） : 40V

漏源极电压（Vdss） : 40V

不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss） : 50µA @ 10V

漏极电流（Id）-最大值 : 1mA

不同Id时的电压-截止（VGS关） : 2.3V @ 1µA

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1.7pF @ 10V

电阻-RDS（开） : -

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : SC-75，SOT-416

供应商器件封装 : SMCP

功率-最大值 : 100mW