包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 100mA(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 8 欧姆 @ 10mA,4V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : -
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 13pF @ 5V
功率-最大值 : 150mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOT-723
供应商器件封装 : VMT3