包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 1200V（1.2kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 10A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 585 毫欧 @ 3A，18V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 900µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 27nC @ 18V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 463pF @ 800V

功率-最大值 : 85W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-247-3

供应商器件封装 : TO-247