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Linear 推出紧凑型、单片高压电池充电器 LT3650-8.22009-02-16
LT3650-8.2的开关模式架构最大限度地降低了功耗，而不会牺牲电路板空间。
MICROSEMI推出集成I/O匹配电路的微型WiFi功率放大器LX55162009-02-16
LX5516 采用12引线，2 毫米 x 2毫米MLP封装，集成有50欧姆输入和输出匹配电路
MICROSEMI推出集成I/O匹配电路的微型WiFi功率放大器LX55162009-02-13
LX5516 采用12引线，2 毫米 x 2毫米MLP封装，集成有50欧姆输入和输出匹配电路
T3G实现基于具备多模能力的软件调制解调-平台的TD-LTE端到端应用测试2009-02-13
天碁科技的平台采用先进的嵌入式矢量处理器核，最高可以实现50 Mbps的下载速率和150 Mbps的上传速率，并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多种通信模式。
NUMONYX推出45nm NOR闪存芯片提升存储产品性能2009-02-13
45nm的1兆位(Gb)单片闪存基于Numonyx StrataFlash 存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nm NOR闪存芯片。
Cypress推出 West Bridge外设控制器的全新模块Turbo-MT2009-02-13
全新 Turbo-MTP功能可加速媒体传输协议以改进侧载（Side Loading）性能并提高用户体验
LSI 宣布推出面向 WAN 网络的下一代链路层处理器2009-02-13
新型 LLP 片上系统 (SoC) 采用统一线卡设计，可支持所有主要协议，而具有较高的可扩展性，支持从 T1/E1 到 STM-1 的各种带宽频谱
Vishay 推出多款面向最高端领域应用的Bulk Metal箔表面贴装电阻2009-02-13
该器件具±0.2 ppm/度起（-55度 至 +125度，+25度）的 TCR、达0.005%（50 ppm）的负载寿命稳定性、小于 0.05% 的报废容限及小于 1 纳秒几乎瞬时的热稳定时间；可在特定电阻值范围内制造任何电阻值，且不会影响成本或供货时间
Maxim推出过压保护器(OVP) MAX14527/MAX145282009-02-12
器件采用内部100mΩ (典型值)低RON的MOSFET，防止过压时损坏电路。
HOLTEK推出八位电话通信产品微控制器系列HT95R222009-02-12
HT95R22为HOLTEK半导体新开发的八位电话通信产品微控制器系列，具有ROM为4K×16、RAM为576 bytes、I/O为20埠、堆栈数目为8-level、内建两个16-bit 定时器、一个RTC定时器及外部中断触发等功能
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