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Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT2024-09-02

Nexperia今日宣布其广受欢迎的功率双极结型晶体管(BJT)产品组合再次扩展，推出采用DFN2020D-3封装的十款标准产品和十款汽车级产品。这些新器件的额定电压为50 V和80 V，支持NPN和PNP极性的1 A至3 A电流范围，进一步巩固了Nexperia作为市场领先供应商的地位。通过此次发布，Nexperia通过DFN封装提供了其大部分的功率BJT，可满足设计人员对节省空间和能源的封装的需求，以此取代旧的SOT223和SOT89封装。

Vishay新型硅PIN光电二极管，提高在生物医学应用中的灵敏度2024-08-21

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型硅PIN光电二极管---VEMD8082，在可见/近红外波长下，该器件可为心率和血氧监测等生物医学应用领域提供更高的灵敏度。与前几代解决方案相比，最新推出的VEMD8082具有更高反向光电流、更低二极管电容以及上升和下降时间更快的特点。此外，器件体积小至4.8 mm x 2.5 mm x 0.5 mm，适合集成到智能手表等轻薄设备中。

全新一代 立芯光电推出1470nm高功率半导体激光二极管芯片2024-08-12

西安立芯光电科技有限公司（以下简称“立芯光电”）自今年1月发布初代1470nm产品以来，通过多次结构迭代与升级，近日正式发布全新升级款1470nm 3W以及1470nm 5W激光芯片，新一代1470nm芯片电光转换效率由初代25%提升至36%，达到业内领先水平。

Vishay推出具有高辐射强度和短开关时间的新型890 nm红外发光二极管2024-07-25

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外（IR）发光二极管--- TSHF5211，扩充其光电子产品组合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面发射器芯片技术，优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K，辐照强度和升降时间优于前代器件。

英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管2024-07-11

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。

Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装，具备高效率和高可靠性2024-07-11

Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块2024-07-04

近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。

Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性2024-07-01

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求2024-06-13

Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperia现还提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。

安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模块，助力可再生能源应用简化设计并降低成本2024-06-12

智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)， 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来业界领先的能效表现，有助于降低系统成本并简化设计。