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Nexperia发布专为USB4和Thunderbolt接口设计的全新ESD保护二极管,全面保障10 GHz以上信号完整性2025-08-06

Nexperia推出五款高性能1 V 保护二极管,可为交流耦合射频(RF)传输线路提供优化保护,有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路。其中包括PESD1V0C1BSF和PESD1V0H1BSF等型号,适用于手机、便携式电子设备、通信系统以及计算机与其他外设等应用中的USB4®和ThunderboltTM接口保护。
Nexperia发布专为USB4和Thunderbolt接口设计的全新ESD保护二极管,全面保障10 GHz以上信号完整性

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管将直流线路保护的箝位电压降低多达15%2025-07-30

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司日前宣布推出5.0SMDJ-FB瞬态抑制二极管系列,采用DO-214AB封装的5000W表面贴装解决方案,旨在保护敏感的直流电源线免受过压瞬变的影响。
Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管将直流线路保护的箝位电压降低多达15%

Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性2025-07-29

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV(DO-221AC)封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。
Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性

Nexperia将铜夹片(CFP)封装的优势引入双极性晶体管 2025-07-21

Nexperia今日宣布扩展其双极性晶体管(BJT)产品组合,推出12款采用铜夹片封装(CFP15B)的MJD式样的双极性晶体管。这款名为MJPE系列的新产品旨在满足工业与汽车领域对更高功率效率、更具成本优势设计方案的持续需求。
Nexperia将铜夹片(CFP)封装的优势引入双极性晶体管

意法半导体推出先进的 1600 V IGBT,面向高性价比节能家电市场2025-07-17

意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT,该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势,特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景,包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。
意法半导体推出先进的 1600 V IGBT,面向高性价比节能家电市场

金升阳推出3000W适用于通信/工控行业的高功率密度整流模块2025-07-14

在通信与工业控制领域,稳定、高效的电源是保障系统可靠运行的核心。金升阳LMR3000-4850整流模块凭借高功率密度、智能数字化控制及多重安全防护,成为通信基站、数据中心、工业自动化及机器人等领域的理想选择。
金升阳推出3000W适用于通信/工控行业的高功率密度整流模块

時科推出高性能·高可靠—時科SiC肖特基二极管2025-07-09

在新能源、工业电源和高效能系统日益追求高频、高效、高温可靠性的时代,碳化硅(SiC)器件正逐渐成为电力电子的核心。時科深耕第三代半导体领域,倾力打造出全新一代650V、15A碳化硅肖特基二极管——Q-SSC1565-TF,全面助力高性能功率系统升级换代。
時科推出高性能·高可靠—時科SiC肖特基二极管

Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管2025-07-02

Nexperia今日推出专为保护48V汽车数据通信网络设计的ESD二极管,旨在使其免受静电放电(ESD)事件的破坏性影响。这一全新的产品组合包含六款器件,全部通过AEC-Q101认证,性能可靠,可满足日益普遍的48V板网对更高最大反向工作电压(VRWM)的要求。该系列最终能节省PCB空间与系统成本,同时在更高数据速率下保持信号完整性。
Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管

业界领先的超低VF整流桥系列最大结温温度可达175°C2025-06-30

PANJIT推出具备175°C (TJ) 高结温温度能力的HULV超低VF桥式整流器系列,持续引领高效能功率整流技术。此系列在800V反向耐压条件下,展现业界最佳的热稳定性与导通效率,广泛应用于AI服务器、电信设备、游戏平台以及80+白金/钛金级PC电源等高功率密度系统。HULV系列采用先进的平面EPI芯片接面制程技术,并导入聚酰亚胺(polyimide)保护层设计,有效强化产品在严苛热环境下的稳定性与可靠性。
业界领先的超低VF整流桥系列最大结温温度可达175°C

英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片2025-06-18

随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的20%增长至45%左右 [1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代产品,包括为400 V和800 V系统设计的 EDT3(第三代电力传动系统)芯片,以及为 800 V 系统量身定制的RC-IGBT 芯片。
英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片
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1. “每日一问”的答案及获奖名单将在第二天公布;
2. 最接近标准答案的网友将获得多功能背包一份(每天限一名),如答案相同则以提交答案的时间为准;
3. 奖品将在“传感技术主题月”结束后统一发放,具体时间请随时关注中电网公告。

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