旭化成微电子(AKM)推出了全新的3D磁传感器AK09940A,该产品使用TMR磁传感器,实现了世界认可*的低噪声、低功耗特性,是AK09940的兼容升级版。AK09940A相较于AK09940,追加配置了低功耗模式、高速采样模式、以及外部触发模式,应用范围更加广泛。
>>详情英飞凌,600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列,先进电源应用
2024-06-26 14:39:37英飞凌科技股份公司推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案,丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管,适用于服务器和工业开关模式电源装置(SMPS)、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
>>详情英飞凌, CoolSiC MOSFET 400 V, AI服务器电源
2024-06-25 11:20:17英飞凌科技股份公司开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在,英飞凌基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiCTM技术,推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发,是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统(ESS)、变频电机控制、工业和辅助电源(SMPS)以及住宅建筑固态断路器。
>>详情多维科技,TMR角度传感器芯片, TMR3016, TMR3017
2024-06-25 10:28:02多维科技TMR3016和TMR3017角度传感器芯片专为消费电子应用设计,包括智能手机摄像头模组中音圈马达(VCM)的微位移测量,以及智能可穿戴设备中的对轴或离轴角度位置测量。每个传感器都具有一个由四个高灵敏度TMR元件组成的单全桥。
>>详情英飞凌,温度传感器,600 V CoolMOS S7TA MOSFET
2024-06-24 14:50:22全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS™ S7T)取得的进步基础上,显著提高了结温传感的精度,因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。
>>详情TDK 株式会社推出面向汽车和工业应用场景的 TAS8240 传感器,扩大了其隧道磁阻(TMR)角度传感器产品系列。这款全新传感器提供紧凑型 QFN16(3 x 3 mm²)和 TSSOP16 (5 x 6.4 mm²)封装,可实现四个冗余模拟单端 SIN/COS 输出和低功耗。此传感器有助于精确的角度测量,可在受限的空间环境中实现高性能。
>>详情XP Power正式宣布推出一款新的小巧型550W AC-DC电源,可用于自然对流冷却、传导冷却和强制空气冷却。这款新的PSU可满足医疗和工业应用,适用于广泛的应用 - 包括密封外壳环境。
>>详情在需要使用矢量控制FOC算法的车载电机系统中,高精度TMR角度传感器芯片一直在与霍尔角度芯片、旋变方案、电涡流芯片等其它方案竞争电机转子位置检测(RPS, Rotor Position Sensing)的市场主流方向。
>>详情近日,格科微成功量产高性能的第二代单芯片3200万像素图像传感器——GC32E2。GC32E2搭配单帧高动态DAG HDR技术,预览、拍照、录像时,均能以更低功耗输出明暗细节丰富、无伪影的影像。
>>详情RECOM 全新推出新一代极具性价比的高性能 “K” 系列引脚式 DC/DC 转换器,这些产品性能更强大,额定功率最高达 30 W,具有宽输入电压范围,采用 1” x 1” 微型封装,高度仅 0.4英寸 (25.4 x 25.4 x 10.2 mm)。
>>详情贸泽电子即日起开售Siemens LOGO!Power微型电源。该产品采用扁平、阶梯式外形设计,具有节能功能,可在小型配电板和其他空间有限的环境中实现高性能。这些电源可满足照明和加热控制器、包装机、分拣系统和传送带等建筑技术和工业自动化应用的能源需求。
>>详情长光辰芯发布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是长光辰芯线阵芯片GL中的全新子系列,是基于长方形像素尺寸设计的线阵图像传感器。GLR1205BSI-S作为该系列的首款产品,将助力长光辰芯开辟更多应用领域,例如点激光位移传感器,光谱测量,光学相干断层扫描(OCT)等。GLR系列会陆续推出更多产品以满足多样化的市场需求。
>>详情GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
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