功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
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随着电力电子技术的飞速发展，功率器件在电动汽车、可再生能源、智能电网等领域的应用日益广泛。这些应用对功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特别是在电动汽车领域，功率器件需要在高电压、高电流和高温环境下稳定工作，这对器件的耐久性和可靠性是一个巨大的挑战。
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氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。探测器性能由于材料不同、结构不同、制备工艺以及应用场景的不同的区别会有较大的性能差异。而性能指标之间往往存在制约，例如暗电流和输出电流、灵敏度和响应度、可靠性和灵敏度等需要权衡和折中。
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为了在无线通信系统中实现更高的数据速率以及在雷达中使用更窄的脉冲来解析近距离目标，对测试和测量仪器的性能和带宽提出了更高的要求。高带宽示波器和射频数字转换器等射频 (RF) 测试和测量仪器可使用射频采样模数转换器 (ADC)，对从直流到数千兆赫的信号同时进行数字化。
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在设计用于准确监测和控制重要电气参数（包括电流、电压和功率）的系统中，模数转换器 (ADC) 使用同步采样来监测和控制电压和电流。速度和精度是其中一些最重要的参数，它们有助于更大限度提升信号链的性能。此外，通道密度更高的 ADC 有助于缩小电路板尺寸，并增加通过给定电路板传输的数据量。
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电力电子设备中使用的半导体材料正从硅过渡到宽禁带（WBG）半导体，比如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等半导体在更高功率水平下具有卓越的性能，被广泛应用于汽车和工业领域中。由于工作电压高，SiC技术正被应用于电动汽车动力系统，而GaN则主要用作笔记本电脑、移动设备和其他消费设备的快速充电器。本文主要说明的是宽禁带FET的测试，但双脉冲测试也可应用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
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柔性可穿戴电子设备主要由柔性压阻传感器材料、柔性传感器框架、电极连接、信号采集和处理电路组成。 其中最重要的部分就是对柔性压阻传感器材料的测试，对于用于制造压阻式传感器的材料 , 需要全面评估其电学、机械、动态响应和环境稳定性等多方面性能指标 , 以确保材料能够满足实际应用的需求。
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在从墙壁插座到被供电设备的过程中，电力通常通过开关模式电源，其中交流信号在到达设备之前被整流为直流。之后，直流信号（通常为 5 V）被传递到设备 PC 板上的 DC-DC 转换器，以将各种电压馈送到设备供电网络的分支。让我们看一下与测试开关模式电源相关的一些测量技术和注意事项。
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