包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : NexFET™
FET类型 : 2 个 N 通道(半桥)
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 25V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 40A
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 6 毫欧 @ 20A,8V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 10.7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 1870pF @ 12.5V
功率-最大值 : 13W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-LDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 : 8-SON(5x6)