包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : NexFET™
FET类型 : 2 个 N 通道(半桥)
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 25A
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 9.6 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1.9V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 4.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 736pF @ 15V
功率-最大值 : 6W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 5-LGA
供应商器件封装 : 5-PTAB(5x3.5)