•                 产品展示

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• ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术  2021-04-09
  全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向以工业设备和通信设备为首的各种电源电路，开发出针对150V耐压GaN HEMT*1（以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。

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• Vishay的新款第五代FRED Pt 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器具有极高的反向恢复性能  2021-04-01
  日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出10款新型第五代FRED Pt® 600 V Hyperfast和Ultrafast整流器。

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• 新型车用650 V CoolSiC混合分立器件助力快速开关车载充电器应用实现性能提升  2021-03-17
  英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出车用650 V CoolSiC™混合分立器件。该器件包含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

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• 意法半导体MasterGaN系列新增优化的非对称拓扑产品  2021-01-18
  基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。

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• 意法半导体发布高温Snubberless 800V H系列可控硅 可节省空间，提高可靠性  2021-01-15
  意法半导体发布800V H系列可控硅，其在最大额定输出电流时最高结温达到150°C，因此可以将交流负载驱动器的散热器尺寸缩减多达50％，开发紧凑尺寸与高可靠性兼备的交流驱动器。

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• Nexperia首次推出用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET（配电阻晶体管）系列  2021-01-12
  半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。

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• Teledyne e2v HiRel的650 V系列产品新增两款大功率GaN HEMT  2021-01-08
  Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。

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• Transphorm开始供应SuperGaN Gen V FET的样品  2020-12-07
  高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的样品。

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• 联合碳化硅基于第四代先进技术推出新型SiC FET器件  2020-12-01
  领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合半导体）公司，现已基于其第四代SiC FET先进技术平台推出四款首批器件。

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• EPC推出170 V eGaN FET，实现优越同步整流，极具成本效益  2020-11-13
  宜普电源转换公司（EPC）宣布推出170 V、6.8 mΩ的EPC2059氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET），与目前用于高性能48 V同步整流的器件相比，EPC为设计工程师提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的器件。

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