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  • 东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦
  • 东芝面向中大电流IGBT/MOSFET推出内置保护功能的光耦  2020-03-10
    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
  • Vishay推出新款FRED Pt Ultrafast恢复整流器
  • Vishay推出新款FRED Pt Ultrafast恢复整流器  2020-02-14
    日前,Vishay宣布推出八款新型100 V和200 V器件扩充其Fred Pt® Ultrafast恢复整流器产品,新型整流器采用eSMP®系列SlimSMAW(DO-221AD)封装,高度低至0.9 mm。Vishay Semiconductors二极管与常见SOD-128封装占位兼容,引线宽度大于SlimSMA封装器件,具有更高可靠性。
  • UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
  • UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET  2020-02-04
    UnitedSiC宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8,这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件,使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
  • Vishay新型TMBS整流器可显著提高功率密度
  • Vishay新型TMBS整流器可显著提高功率密度  2020-01-27
    日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代号:VSH) 宣布,推出16款采用eSMP®系列超薄SMP(DO-220AA)封装的新型2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor整流器反向电压覆盖从45 V到200 V范围,3 A电流等级达到业内SMP封装器件最高水平,显著提高功率密度。
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