包装 : 管件

系列 : CoolMOS™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 超级结

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 47A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 45 毫欧 @ 44A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.9V @ 3mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 190nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 6800pF @ 100V

功率-最大值 : -

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : ISOPLUS264™

供应商器件封装 : ISOPLUS264™