包装 : 托盘

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 耗尽模式

漏源极电压（Vdss） : 250V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.1A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3.5 欧姆 @ 1A，0V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 7.04nC @ 1.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1000pF @ 25V

功率-最大值 : -

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装 : 8-DFN（5x5）