包装 : *

系列 : -

FET类型 : 4 个 N 通道

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 830mA

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.75 欧姆 @ 200mA，5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 110pF @ 15V

功率-最大值 : 2W

安装类型 : *

封装/外壳 : -

供应商器件封装 : *