包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 耗尽模式

漏源极电压（Vdss） : 350V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 5mA（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 14 欧姆 @ 50mA，350mV

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 300pF @ 0V

功率-最大值 : 2.5W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装 : SOT-223