包装 : 管件
系列 : POWER MOS 8™
IGBT类型 : PT
电压-集射极击穿(最大值) : 900V
电流-集电极(Ic)(最大值) : 117A
脉冲电流-集电极(Icm) : 193A
不同Vge,Ic时的Vce(on) : 3.1V @ 15V,38A
功率-最大值 : 500W
开关能量 : 1192µJ(开),1088µJ(关)
输入类型 : 标准
栅极电荷 : 162nC
25°C时Td(开/关)值 : 18ns/131ns
测试条件 : 600V,38A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) : -
封装/外壳 : TO-264-3,TO-264AA
安装类型 : 通孔
供应商器件封装 : TO-264 [L]