系列 : -
IGBT类型 : -
配置 : 半桥
电压-集射极击穿（最大值） : 1200V
电流-集电极（Ic）（最大值） : 105A
功率-最大值 : 630W
不同Vge，Ic时的Vce（on） : 1.8V @ 15V，75A（标准）
电流-集电极截止（最大值） : 500µA
不同Vce时的输入电容（Cies） : 5.52nF @ 25V
输入 : 标准
NTC热敏电阻 : 无
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : S-3 模块
供应商器件封装 : S3
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