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Littelfuse推出了符合AEC－Q101标准的瞬态抑制二极管系列2016-11-22

Littelfuse推出了符合AEC－Q101标准的瞬态抑制二极管系列，专门设计用于保护敏感电子设备免受由负载突降和其它瞬态电压事件引起的电压瞬变损害。

最新Qorvo技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器2016-11-04

Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管TGF2933－36和TGF2941－42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。

Littelfuse紧凑型瞬态抑制二极管可保护敏感型电子设备免受应电压雷击感瞬变和其他电压瞬变损害2016-10-19

Littelfuse推出了专为保护敏感便携式、紧凑电子设备免受电压瞬变损害的瞬态抑制二极管产品系列。 SMF3.3系列瞬态抑制二极管采用超小型、小尺寸的SOD－123FL塑料封装，集200W浪涌性能、低反向断态电压（3．3V）和低箝位电压（6．8V）于一体，适用于各种便携式、紧凑型电子产品。

Littelfuse推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列MG12600WB－BR2MM2016-10-12

Littelfuse今天宣布推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列MG12600WB－BR2MM。 相比该产品组合之前产品的最高额定电流（450A），新型半桥IGBT模块系列（1200V，600A）可为设计师提供显著更高的额定电流，能够依托现代IGBT技术可靠、灵活地提供高效快速的开关速度。

英飞凌Advantage系列模块，助力中国变频器行业转型升级2016-09-23

英飞凌推出全新Advantage 系列IGBT产品，该系列产品针对中国企业的需求，同时对产品性能和可靠性进行了优化，为中国变频器厂家在不同场景下的差异化需求提供了高性价比的解决方案。

Silicon Labs日前推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管驱动器家族产品2016-09-22

Silicon Labs日前推出了基于CMOS技术的突破性隔离型场效应晶体管（FET）驱动器家族产品，这使得开发人员能够使用自己选择的特定应用和高容量的FET去替代过时的机电继电器（EMR）和基于光耦合器的固态继电器（SSR）。

ST推出了业内首个800V表面贴装可控硅整流管2016-09-21

ST推出了业内首个800V表面贴装可控硅整流管。当工作温度达到最高额定150°C时，新产品性能无衰退现象，使得开发人员能够任意缩减功率模块的尺寸，适合工况恶劣且需要高可靠性的电力应用。

Power Integrations推出1SP0350V SCALE－2单通道＋15／－10V,即插即用型门极驱动器2016-09-21

Power Integrations推出1SP0350V SCALE－2单通道＋15／－10V,即插即用型门极驱动器。1SP0350门极驱动器非常适合要求高可靠性应用的HVDC和轨道交通工业领域，并且可安全可靠地驱动4500V Press－Pack IGBT和IEGT以及其他IGBT和IEGT产品。

ST推出一系列采用TO－220 FullPAK (TO－220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管2016-08-16

ST推出一系列采用TO－220 FullPAK (TO－220FP)宽爬电间距封装的功率晶体管，其中包括采用防电弧封装的全球首款1500V超结MOSFET。

Littelfuse低电容瞬态抑制二极管阵列是基于半导体的共模滤波器经济实惠的替代选择2016-08-10

Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列，该产品专为保护可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备进行了优化。