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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率2021-08-09

近日，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。

Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装，为汽车和工业应用提供高可靠性2021-07-29

MJD系列现已上市，涵盖2 – 8 A和45 – 100 V，且增强了Nexperia的功率产品组合

Integra推出首款100V射频氮化镓产品/碳化硅(SiC)技术2021-07-16

Integra今天推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。

英飞凌推出全新采用TO－247－3－HCC封装的TRENCHSTOP 5 WR6系列，带来更佳的系统可靠性2021-07-14

近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6系列，该系列采用TO-247-3-HCC封装，能够实现额定电流分别为20 A、30 A、40 A、50 A、60 A和70 A的丰富产品组合

ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”2021-07-08

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。

可增强小基站和mMIMO驱动器系统的全集成型Doherty功率放大器2021-07-01

埃赋隆半导体（Ampleon）基于其先进的LDMOS晶体管技术并利用高度集成，针对下一代小基站基础设施和大规模MIMO实施提供了全面的射频功率放大器器件组合。

EPC推出新款80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管2021-06-22

宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓 (eGaN) 功率 晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。

意法半导体发布高性能车规级GaN产品系列2021-05-14

服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)发布了STi2GaN系列智能集成氮化镓(GaN)解决方案。

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器旨在为快速开关应用提高效率2021-05-10

新器件已通过AEC-Q101认证，支持高达100 V的电压和20 A的电流，开关损耗低且安全工作区域增大

Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行2021-04-27

基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。