锂电池的应用普及催生出了众多便携式的数码产品，如户外电源、电动工具、筋膜枪、充气泵、大功率充电宝等。这类产品都内置了多节多串锂电池组成的高容量、大功率电池包，支撑这些产品市场应用都离不开升降压充电管理芯片。
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电源管理， 栅极驱动器， Power Integrations，2SP0215F2Q0C
2022-06-29 16:43:10Power Integrations公司的 2SP0215F2Q0C是用于EconoDUAL 17mm模块驱动高达1200V的IGBT开关的双路栅极驱动器.即插即用栅极驱动器板设计用于需要汽车认证的应用如电动公交车, 电动卡车,纯电动汽车,混合电动汽车,或工作在1000V纯电动汽车电池电压的燃料电池逆变器.栅极驱动器提供汽车有关的保护功能和诊断.电流隔离IGBT模块集成了NTC读出,提供了IGBT模块温度信息.作为即插即用栅极驱动器, 2SP0215F2Q0C特性匹配了特别功率模块的要求.
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电源管理， IEEE 802．3af， IEEE 802．3at，DC／DC转换器， Microchip， PD70201
2022-06-28 14:50:29Microchip公司的PD70201和PD70101是集成了供电设备(PD)接口和PWM控制器,用于IEEE® 802.3af 和IEEE® 802.3at应用的DC/DC转换器. PD70101用于IEEE 802.3af or IEEE 802.3at Type 1的应用,而PD70201则用于IEEE 802.3at Type 2的应用.单个PD70201器件能用在4对线应用,功耗高达47.7W.这两种器件具有PD检测和可编程的分类特性,集成了0.6 Ω隔离开关和浪涌电流限制器.
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Maxim公司的MAX16731是全集成高效率降压DC/DC开关稳压器,工作输入电源从2.7V到16V,输出可在0.5V到5.8V调整,提供高达30A的负载电流.器件的开关频率可从500kHz 到 1.5MHz配置,可在尺寸和性能上优化设计. MAX16731采用固定频率,带内部补偿的电流模式控制.IC具有先进的调制方案(AMS)和可以选择不连续电流模式(DCM)工作,以改善性能.工作设定和配置特性由三个编程引脚PGM0,PGM1和PGM2来选择.
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Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管,它比硅器件具有基本优势,特别是更高的临界电场非常适合功率半导体器件,具有杰出动态开关电阻和更小电容,使得GaN HEMT更适合高速开关应用.GaN功率晶体管最重要的特性是反向恢复性能. Infineon公司的CoolGaN™晶体管没有少数载流子,没有体二极管,不会体现反向恢复.因此,应开关拓扑如图腾柱PFC能用来获得更高效率,例如用在数据中心和服务器电源,以
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Maxim公司的MAX22256/8系列产品是紧凑的隔离电源36V H桥变压器驱动器,为超过15W的隔离电源提供简单的解决方案.这些器件从5V到36V DC电源驱动变压器初级线圈,电流高达650mARMS. MAX22256B/C最适合于LLC型谐振拓扑,改善了效率,降低开关噪音. MAX22256/MAX22258系列具有电阻可调整的电流限制,允许次级边负载电流间接限制,从而在次级或多或现场侧故障时保护初级电源.
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电源管理， USB PD 3．1充电器， Power Integrations， INN4077C－H185
2022-06-16 14:18:48Power Integrations公司的INN4077C-H185是InnoSwitch™4-CZ系列中一员,具有ClampZero系列有源箝位集成电路,大大改善了反激功率转换器的效率,特别是那些紧凑外形系数的转换器. InnoSwitch4-CZ系列在单片IC中包含初级和次级控制器以及安全级反馈. InnoSwitch4-CZ和ClampZero的组合大大地降低消系统和初级开关损耗,允许极大提高功率密度. InnoSwitch4-CZ还包含多种保护特性如输出过压和过流限制,以及超温关断.
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TI公司的TPS65219 是设计用于给手持和固定设施应用的各种SoC供电的功率管理集成电路(PMIC),工作环节温度–40°C到 +105°C,非常适合各种工业应用.器件包括三个同步降压DC/DC转换器和四个线性稳压器.DC/DC转换器具有1x 3.5 A 和2x 2 A,需要小型470 nH 电感, 4.7 μF输入电容,以及每个轨根据配置最低限度30 μF输出电容.两个LDO支持输出电流400mA,输出电压范围从0.6V到3.4V.
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电源管理， SiC MOSFET，汽车电子， Rohm， SCT4026DRHR
2022-06-10 16:07:33Rohm公司的SCT4026DRHR是汽车级N沟SiC功率MOSFET,具有沟槽结构,750V和56A 4引脚THD通孔封装.满足资质AEC-Q101.器件能处理高压和大电流,满足各种条件下优化EMC噪音和电源效率.器件具有低开态电阻,快速开关速度和快速反向恢复.容易并联工作,驱动简单,无铅和RoHS兼容封装.主要用在汽车和开关电源.
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