电源管理,PD控制器,PWM, Microchip, PD70211
2022-04-25 14:44:38Microchip公司的PD70211是具有集成的开关脉宽调制(PWM)稳压器控制的先进的PD接口集成电路,用于PoE应用的供电设备.器件支持IEEE® 802.3af, IEEE 802at, HDBaseT和一般2/4对配置. PD70211前端包括支持2,3,4和6事件分类的先进分类区块.采用SUPP_Sx引脚,它还确认四对电缆,实际上接收功率和产生合适的标识.
>>详情Infineon公司的1ED020I12F2是电流隔离单路IGBT驱动器,采用PG-DSO-16-15封装,输出电流典型值为2A.所有逻辑引脚是5V CMOS兼容,能直接连接到微控制器.垮过隔离绝缘的数据传输由集成无芯变压器技术来实现.用于600V/1200V IGBT,具有Vcesat检测和有源米勒箝位.器件是电流隔离,并集成了几种保护特性如IGBT去饱和保护,和蔼有源关断与有源米勒箝位,适合工作在高温度环境.
>>详情TI公司的AM263x系列Sitara™ Arm® 微控制器(MCU)能满足新一代工业和汽车嵌入产品的复杂的实时处理需求. AM263x MCU系列具有多达4个高达400MHz Arm® Cortex® R5F核,包括多个引脚兼容的器件.多个Arm®核可选择进行编程,选择性运营在锁步,用于不同安全功能配置.工业通信子系统(ICSS)赋能了集成的工业以太网通信如PROFINET IRT, TSN或EtherCAT®,或标准以太网连接或定制I/O接口.
>>详情电源管理,DC/DC转换器, μModule模块, ADI, LTM4658
2022-04-14 14:37:35ADI公司的LTM4658是低VIN高效10A降压DC/DC μModule稳压器,采用微型4mm × 4mm × 4.32mm LGA封装.封装内的元器件包括开关控制器,功率MOSFET,电感和所有支持元件.输入电压为2.25V到5.5V,输出电压由外接电阻设定为0.5V到VIN.它的高效率设计可提供10A连续电流.仅需要输入和输出陶瓷电容.LTM4658采用安静开关器2架构,内部热回路旁路电容在高开关频率是获得低EMI和高效率.
>>详情电源管理,DC/DC转换器, Power Integrations,InnoSwitch3-AQ
2022-04-13 14:43:18Power Integrations公司的InnoSwitch3-AQ系列是集成了50 V, 900 V和1700 V开关和FluxLink反馈的CV/CC QR反激开关器,用于汽车. InnoSwitch™3-AQ系列大大简化了汽车应用的隔离反激功率转换器地设计和制造.器件在单片上组合了初级和次级控制器以及安全等级反馈,即使输入电压从30VDC到大于1000VDC也能精确调整输出电压. InnoSwitch™3-AQ系列具有多种保护特性包括线路过压和欠压保护,输出过压和过流限制以及超温关断.器件从
>>详情Infineon公司的1ED332xMC12N(1ED-F3)是EiceDRIVER™增强单路电流隔离栅极驱动器. 采用DSO-16宽体封装具有集成保护特性如短路保护,有源米勒箝位和有源关断,用于IGBT, MOSFET和 SiC MOSFET.所有逻辑引脚是3.3V和5V CMOS兼容,能直接连接到微控制器.电流隔离层的数据传输由集成的芯变压器(CT)技术来实现.
>>详情Rohm公司的SCT4045DR是第四代沟槽架构的N沟SiC功率MOSFET,源-漏电压VDSS为750V,导通电阻为45mΩ,具有小型化和低功耗的应用. 第四代SiC MOSFET产品具有业界一流的低导通电阻而不会牺牲短路耐受时间.器件采用有驱动器端的4引脚封装,,能最大化高速开关性能. SCT4045DR具有快速开关速度和快速反向恢复,容易并联应用和简化应用,具有无铅引线镀层和RoHS兼容.
>>详情消费类电子,数字音频播放器(DAP),CD/SACD播放器, Rohm, BD34352EKV
2022-03-29 16:15:16Rohm公司的BD34352EKV是32位高音质立体声D/A转换器(DAC),取样频率768 kHz,具有ROHM原声质量设计,具有极好的数字性能(SNR为126dB, THD+N为-112 dB(典型值)),适合于高端音频设备. 最喜欢的声音是由切换两种数字FIR滤波器来选择(快速滚降, 慢速滚降).PCM I/F 支持高达768 kHz和DSD I/F支持高达22.4 MHz. 器件支持立体声模式(2路)和单声道模式(1路),可选择4种器件寻址(38h, 3Ah, 3Ch, 3Eh).
>>详情On Semi公司的NVHL160N120SC1是N沟 SiC MOSFET,耐压1200V,导通电阻160 m ,电流17A.器件具有超低栅极电荷(QG(tot) = 34 nC),低效率输出电容(Coss = 50 pF),器件取得AEC−Q101资格证书,和RoHS兼容.评估板SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB采用NCV1362准谐振峰值电流初级边调整(PSR)反激控制器,3引脚成本最优NVHL160N120SC1 160m 1200V碳化硅(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二极管.
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