包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : SIPMOS®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 120mA（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 45 欧姆 @ 120mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.3V @ 94µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6.6nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 150pF @ 25V

功率-最大值 : 1.8W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装 : PG-SOT223-4