包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 80V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 90A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 4 毫欧 @ 45A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 96nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 6340pF @ 40V

功率-最大值 : 200W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型

供应商器件封装 : H²PAK