包装 : 管件

系列 : DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 40V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 120A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.7 毫欧 @ 60A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 377nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 20000pF @ 25V

功率-最大值 : 300W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商器件封装 : I2PAK（TO-262）